IMT是指集成器件制造技术，其工艺流程主要包括晶圆材料选择、晶圆清洗、光刻、蚀刻、离子注入、金属蒸镀、退火等步骤。

其中，光刻技术通过光阻和光刻胶的选择来实现图形转移，蚀刻技术可以通过化学反应去除晶圆上不需要的物质，离子注入则可以改变材料的导电性等特性。金属蒸镀和退火则可形成电极和提高晶体品质。IMT的工艺原理主要基于材料科学和物理学理论，以实现半导体器件的微米级尺度制造。